半绝缘型氮化镓厚膜复合晶片生产商

半绝缘型氮化镓厚膜复合晶片生产商

恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。氮化镓复合衬底有2英寸和4英寸，衬底结构为GaN on Sapphire。

GaN是*三代半导体材料，相比于代的硅（Si）以及*二代的化镓（GaAs）等，它具备比较**的优势特性。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。