碳化硅衬底晶片生产商 SiC碳化硅晶片

碳化硅衬底晶片生产商 SiC碳化硅晶片报价

苏州恒迈瑞公司生产供应厚度为500um的半绝缘型碳化硅晶片以及厚度350um的导电型碳化硅衬底晶片。

碳化硅衬底片可用于肖特基二极管（SBD），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,结型场效应晶体管（JFET）和双较结型晶体管（BJT）的制作。这些电子电力器件可广泛应用于太阳能逆变器，风力发电，混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。

产品类型：4H-N碳化硅衬底

掺杂：氮
厚度：350um±25um

尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸

晶向：Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°

碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的*三代半导体材料。