2英寸氮化镓衬底片生产商 自支撑氮化镓衬底片

2英寸氮化镓衬底片生产商 自支撑氮化镓衬底片
恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。氮化镓复合衬底有2英寸和4英寸，衬底结构为GaN on Sapphire。

2英寸氮化镓衬底片生产商 自支撑氮化镓衬底片
氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于较稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是较高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
**代半导体材料以硅和锗为代表，*二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的*三代半导体材料成为**半导体研究的*和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，氮化镓材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在诸多领域有广阔的应用前景。