氮化镓复合衬底厂商 GaN on Sapphire衬底工厂

氮化镓复合衬底厂商 GaN on Sapphire衬底工厂

恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。氮化镓复合衬底有2英寸和4英寸，衬底结构为GaN on Sapphire。

GaN是非常稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ-Ⅴ族化合物中是较高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。

氮化镓复合衬底厂商 GaN on Sapphire衬底工厂

氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于较稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是较高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。