2英寸4英寸氮化镓晶片生产商

2英寸4英寸氮化镓晶片生产商

在电力电子领域，宽禁带半导体的应用刚刚起步，市场规模仅为几亿美元。由于GaN材料电子漂移饱和速度高，击穿场强大，目前硅基GaN功率器件具有高反向关断电压、更高的工作频率和更低的导通电阻等特性，可使电源做的更小，效率更高，更高的功率密度。半导体在节能领域中应用较多就是功率器件，绝大多数电子产品都会使用到一颗或多颗功率器件产品。数据显示，宽禁带半导体芯片可以消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，还可以使笔记本电源适配器体积缩小80%。
苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。
氮化镓复合衬底片厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)±0.5°
位错密度：≤5x108cm-2