2寸氮化镓晶片GaN-On-Sapphire衬底生产厂家

2寸氮化镓晶片GaN-On-Sapphire衬底生产厂家

苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。

氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um

晶向：C-plane(0001)±0.5°

位错密度：≤5x108cm-2

抛光要求：单抛/双抛

氮化镓是一种人造材料，自然形成氮化镓的条件较为苛刻，需要2,000多度的高温和近万个大气压的条件才能用金属镓和氮气合成为氮化镓，所以在自然界几乎不可能实现。1998年，美国科学家研制出了氮化镓晶体管。然而，氮化镓禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，使得它成为迄今理论上电光、光电转换效率的材料体系，并可以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。