碳化硅晶片生产厂家 导电型4H-N碳化硅衬底晶片工厂

碳化硅晶片生产厂家 导电型4H-N碳化硅衬底晶片工厂

苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅晶片和4H半绝缘碳化硅衬底晶片，所生产的碳化硅晶片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、**高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。

产品类型：4H-N碳化硅衬底

掺杂：氮
厚度：350um±25um

尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸

晶向：Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°

在航空航天或领域， 系统的工作条件较其恶劣。 从 80 年代末起， SiC 材
料与器件的飞速发展。 由于 SiC 材料种类很多， 性质各异， 它的应用范围十分广
泛。在大功率器件方面， 利用 SiC 材料可以制作的器件， 其电流特性、 电压特性、
和高频特性等具有比 Si 材料更好的性质。在高频器件方面， SiC 高频器件输出功率更高， 且耐高温和耐辐射辐射特性更好， 可用于通信电子系统等。在光电器件方面， 利用 SiC 不影响红外辐射的性质， 可将其用在紫外探测器上， 在 350℃的温度检测红外背景下的紫外信号， 功率利用率 80%左右。在耐辐射方面， 一些 SiC 器件辐射环境恶劣的条件下使用如核反应堆中应用。高温应用方面， 利用 SiC 材料制备的器件工作温度相当地高， 如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二极管可在 900k 下工作。