6英寸碳化硅衬底晶片工厂 SiC半绝缘晶片厂商

6英寸碳化硅衬底晶片工厂 SiC半绝缘晶片厂商

碳化硅衬底晶片的优势：

* 碳化硅衬底晶片与氮化镓（GaN）外延层的晶格常数匹配，化学特性相容；

* 碳化硅材料热导率优秀（比蓝宝石高10倍以上）且与GaN外延层热膨胀系数相近；

* 碳化硅是导电的半导体，可以制作垂直结构器件，其两个电极分布在器件的表面和底部，能解决蓝宝石衬底必须的横向结构封装带来的各种缺点；

* 碳化硅衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。

苏州恒迈瑞材料科技半绝缘型碳化硅衬底片厚度500um±25um，晶向为on axis <0001>±0.5°，产品尺寸有2英寸，3英寸，4英寸及6英寸。导电性碳化硅衬底片厚度350um±25um，晶向为Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°。