2英寸碳化硅晶片工厂 产品级SiC衬底晶片厂商

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碳化硅衬底片主要分为导电型和半绝缘型，导电型SiC碳化硅衬底以n型碳化硅衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型碳化硅衬底片主要用于外延制造GaN高功率射频器件。高纯半绝缘HPSI与SI半绝缘是有区别的，高纯半绝缘载流子浓度3.5*10¹³~8*10¹⁵/cm³范围，具有较高的电子迁移率；半绝缘是高阻材料，电阻率很高，一般用于微波器件衬底，不导电。

产品类型：4H-SI碳化硅衬底

掺杂：钒
厚度：500um±25um

尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸

晶向：on axis 0°<0001>±0.5°